英飛凌聚焦SiC MOSFET 推新模組化評估平臺

英飛凌（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）推出模組化評估平臺，其核心包含一個主板與可互換的驅動器卡板，驅動器選項包括米勒鉗制和雙極供電卡；其他版本將於近期內推出。該產品系列有助於推動碳化矽成爲主流，縮短多種應用的上市時程。

該主板設計的最高電壓爲800V，最大脈衝電流爲130A。如要測量到最高175°C的溫度，可將散熱器搭配加熱元件使用。

評估平臺的主板分爲一次側和二次側兩個區塊。一次側含12V供電及脈衝寬度調變（PWM）；二次側爲驅動器的第二供電來源，以及包含用於測量電流和外部電感分流連接的半橋。驅動器的正操作電壓調整範圍介於+7.5至+20V之間，負電壓介於+1V至-4.5V。主板設計的最高電壓爲800V，最大脈衝電流爲130A。如要測量到最高175°C的溫度，可將散熱器搭配加熱元件使用。

驅動器卡板採用EiceDRIVER系列的驅動器IC，適合SiC功率裝置的高頻切換，可提供兩種驅動器選項的參考設計。第一個模組化驅動器卡板內含1EDC Compact 1EDC20I12MH，整合主動米勒鉗制，啓動電壓通常低於2 V。第二個驅動器卡板內含1EDC Compact 1EDC60H12AH，可提供雙極供電，VCC2爲+15V，GND2爲負電壓。本產品系列新添這兩款驅動器卡板後，將涵蓋設計人員在設計SiC MOSFET驅動時偏好使用的絕大多數選項。