英諾賽科港股遞表：行業龍頭保持先發優勢，氮化鎵芯片累計出貨量全球第一

6月12日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司，正式向聯交所遞交A1招股書，擬赴港上市，中金公司、招銀國際擔任聯席保薦人。作爲全球功率半導體革命的領導者，全球最大的氮化鎵芯片製造企業，英諾賽科這一動作引發了資本市場對氮化鎵功率半導體行業的關注。

作爲全球氮化鎵行業龍頭，英諾賽科設計、開發及製造的氮化鎵產品能夠適用於消費電子產品、可再生能源及工業應用、汽車電子產品及數據中心等多個應用領域。其招股書顯示，公司收入由2021年的人民幣0.68億元增加99.7%至2022年的人民幣1.36億元，並進一步增加335.2%至2023年的人民幣5.92億元。

核心技術全球領先 氮化鎵芯片出貨量累計超5億顆

英諾賽科擁有全面領先的核心技術及雄厚的研發實力，在氮化鎵半導體行業的領先地位穩固。而其領先地位主要得益於其強大的研發團隊支持，截至2023年12月31日，公司擁有397名研發人員，其中許多是半導體行業的資深人士，在技術及材料創新方面擁有深厚專業知識。此外，截至最後實際可行日期，公司在全球有約700項專利及專利申請，涵蓋芯片設計、器件架構、晶圓製造、封裝及可靠性測試等多個關鍵領域。

公司憑藉在覈心技術和關鍵工藝方面的前瞻性佈局和突破，使其成功在全球率先實現了8英寸硅基氮化鎵晶圓量產，並在8英寸硅基氮化鎵晶圓技術方面的進步使公司領先於競爭對手。憑藉強大的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產技術，公司突破了每月10,000片晶圓的生產瓶頸，實現了產業規模的商業化，截至2023年12月31日，晶圓良率超過95%。

同時，在封裝技術方面，爲確保氮化鎵產品的可靠性，實現產品最佳的性能，公司不斷創新封裝形式，並在各個應用領域就封裝技術進行鍼對性優化。憑藉其穩定的生產力和產品可靠性，截至2023年12月31日，公司的氮化鎵分立器件累計出貨量超過5億顆，是全球氮化鎵出貨量最大企業。

IDM模式迎合產業需求 保障長期先發優勢

半導體行業內存在IDM與垂直分工兩種主要的經營模式。分析認爲，垂直分工經營模式在數字邏輯集成電路領域取得了快速的發展。但對於工藝特色化、定製化要求較高的半導體產品如功率半導體、MEMS傳感器等來說，IDM模式有助於公司形成更強的市場競爭力。然而，由於在規模投入和運營成本等方面的門檻較高，至今全球範圍內至今僅有極少數企業能夠維持IDM運作模式。

值得注意的是，英諾賽科是全球唯一一家擁有全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品量產能力的IDM公司。在IDM模式下，公司的研發及製造工作在整個產品開發及交付過程中能夠實現無縫協調，主要產品在全流程控制中實現了標準化生產，使其能夠滿足廣大客戶的需求，並迅速擴大生產規模。

此外，公司基於對氮化鎵技術的持續優化，使其氮化鎵產品在頻率、功率密度和熱管理等方面顯著優於傳統的硅基解決方案，IDM模式使公司能夠較無晶圓廠芯片設計公司更有效地管理成本，從而能夠採用更具競爭力的定價。憑藉穩定的交付能力、優秀整合協調以及成本管控能力，形成了顯著的競爭優勢，使公司在同業中脫穎而出。