英特爾IDM 2.0戰略與區域競合 開啓晶圓製造競爭新局

伴隨非記憶體類晶圓製造技術逐步推進到10奈米以下，臺積電、三星電子、英特爾等已成少數競爭業者。綜合製造技術發展與生產能力，目前臺積電暫時領先，但三星、英特爾也各擁競爭優勢。而英特爾拋出「IDM 2.0」戰略，除加劇三者競爭態勢，同時，半導體區域競合也開啓三者競爭新局。

從先進製程來看，至2023年臺積電將持續領先三星與英特爾，三星雖有意率先量產環繞式閘極場效電晶體（Gate-All-Around FET，GAAFET），但生產技術掌握度、材料與設備配套完善度、客戶採用意願等，都是三星如期量產GAAFET的變數。至於先進封裝部分，三家皆有2.5D封裝量產經驗，但英特爾3D先進封裝已有量產經驗，發展進程相對領先。

值得一提的是，英特爾「IDM 2.0」戰略雖使臺積電、三星及英特爾的競爭局勢更趨複雜，然考量戰略效益仍有疑慮，DIGITIMES Research分析師陳澤嘉預估，臺積電可望延續競爭優勢。另外，在區域競合態勢升溫的背景下，歐、美等國有意加強半導體制造本土化政策，將成臺積電、三星與英特爾在競爭優勢維持與策略佈局的重點考量。