元六鴻遠電子取得提高 MLCC 疊層錯位精度識別結構專利，提高疊層錯位精度

金融界 2024 年 11 月 12 日消息，國家知識產權局信息顯示，北京元六鴻遠電子科技股份有限公司取得一項名爲“一種提高 MLCC 疊層錯位精度的識別結構”的專利，授權公告號 CN 221977769 U，申請日期爲 2023 年 12 月。

專利摘要顯示，本實用新型公開了一種提高 MLCC 疊層錯位精度的識別結構，屬於電容器技術領域，其技術要點是：所述識別結構設置在電極膜片一側，所述識別結構關於所述電極膜片對稱設置，電極膜片設置在承載機構的一側，承載機構用於帶動所述電極膜片的識別結構移動，電極膜片另一側設置有兩臺 CCD 相機，CCD 相機用於定位電極膜片兩側的識別結構；還應包括搬送機構和積層平臺，所述搬送機構在所述承載機構和積層平臺之間移動，搬送機構在所述承載機構上抓取電極膜片或陶瓷膜片，搬送機構在所述積層平臺上堆疊電極膜片或陶瓷膜片，且搬送機構每次抓取電極膜片和堆疊電極膜片的位置固定不變，可以避免搬送機構移動精度造成的影響，從而提高疊層錯位精度的優點。

本文源自：金融界

作者：情報員