艾司摩爾新EUV三雄搶買 臺積、三星機臺最快2026到位

半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）。 路透

半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）秀出價值高達3.5億歐元（約合新臺幣118.09億元）的High NA極紫外光（EUV）曝光機設備，除了英特爾率先取得設備之外，臺積電（2330）及三星訂購的新機臺預計最快2026年陸續到位，屆時High NA EUV機臺可望成爲全球三大晶圓製造廠搶進2奈米以下先進製程的必備武器。

外媒報導，艾斯摩爾近期對外秀出High NA EUV曝光機設備，一臺要價3.5億歐元，大小等同於一臺雙層巴士，重量更高達150公噸，相較於兩架空中巴士A320客機，裝機時間推估需要六個月，並需要250個貨箱、250名工程人員才能安裝完成，不僅價格高昂又相當耗時。

英特爾、臺積電、三星先進製程藍圖 圖／經濟日報提供

英特爾早在去年12月已先行拿下一臺High NA EUV曝光機設備，不過，英特爾原預期將該曝光機設備導入在自家18A的先進製程量產，不過，日前英特爾執行長基辛格（Pat Gelsinger）宣佈，不會在18A製程採用High NA EUV量產，代表暫時延後採用High NA EUV曝光機設備。

至於臺積電、三星等晶圓代工大廠在High NA EUV設備機臺採購上，腳步則慢於英特爾。業界指出，由於High NA EUV曝光機價格是當前EUV曝光機的兩倍，代表生產成本將大幅增加，由於明年即將量產的2奈米晶圓售價仍未大幅增加，成爲臺積電、三星不急於導入High NA EUV曝光機臺的關鍵。

業界人士推測，臺積電預計最快在1.4奈米（A14）才導入High NA EUV曝光機臺，代表2025年纔可望有采購設備的消息傳出，若按照臺積電先前對外釋出的1.4奈米量產時間將落在2027年至2028年計劃下，臺積電的High NA EUV曝光機臺交貨時間可能落在2026年開始陸續交機。

不過，可以確定的是，艾司摩爾的High NA EUV曝光機臺已成爲英特爾、臺積電及三星等晶圓製造大廠進軍2奈米以下先進製程的必備武器，僅是大量採用的時間先後順序差別。

事實上，進入7奈米以下後，臺積電就開始導入EUV曝光機設備，原因在於光罩曝光層數大幅增加，在至少20層以上的重複曝光需求下，孔徑重複對準的精準度要求愈來愈高，讓EUV曝光機成爲必備設備，不僅提高良率，也能降低生產成本。