俄宣佈自研EUV光刻機 陸網民歡呼：老大哥給力 華爲有救了！

俄宣佈自研與ASML不同的EUV光刻機，大陸網民歡呼：「華爲有救了」。（圖／ASML）

據陸媒報導，俄羅斯已公佈自主開發EUV（極紫外光）光刻機的路線圖，這款EUV光刻系統與艾斯摩（ASML）的標準不同，但其目標是要比ASML的光刻機更便宜、更容易製造。一些大陸網民在網上留言對此表示質疑，同時也有網民熱情歡呼：「還是老大哥給力，突破歐美光刻機封鎖。中芯國際有救了，華爲有救了！」

陸媒《芯智訊》引述匯流新聞網Cnews報導稱，俄羅斯自主研發的光刻機採用11.2nm的雷射光源，而非ASML標準的13.5nm。這種波長將與現有的EUV設備不相容，需要俄羅斯開發自己的光刻生態系統，這可能需要10年或更長時間。

報導說，該光刻機開發計劃由俄羅斯科學院微觀結構物理研究所的Nikolay Chkhalo 領導，目標是製造出效能具競爭力且具成本優勢的光刻機。它採用11.2nm的氙（xenon）基雷射光源，取代ASML 的基於雷射轟擊金屬錫（tin）液滴產生EUV光源的系統。而11.2nm的波長能將解析度提升約20%，不僅可以簡化設計並降低光學元件的成本，還能呈現更精細的細節。

俄羅斯公佈自主開發EUV光刻機的路線圖，但估計開發這種光刻生態系統至少還要10年。（圖／芯智訊）

此外，該設計可減少光學元件的污染，延長收集器和保護膜等關鍵零件的壽命。儘管該光刻機的晶圓製造產能僅爲ASML 裝置的37%，主要因爲其光源功率僅3.6千瓦，但也足以應付小規模晶片生產需求。

報導表示，以11.2nm波長爲基礎的工具很難直接相容現有以13.5nm爲基礎EUV 架構與生態系統，甚至連電子設計自動化（EDA）工具也需要進行更新。雖然現有EDA 工具仍可完成邏輯合成、佈局和路由等基本步驟，但涉及曝光的關鍵製程，需要重新校準或升級爲適合11.2nm的新制程模型。

報導指出，該光刻機的開發工作將分爲3個階段，第1階段將聚焦基礎研究、關鍵技術辨識與初步元件測試；第2階段將製造晶圓的原型機，並整合至晶片生產線；第3階段的目標是打造一套可供工廠使用的系統。不過，目前還不清楚這些新的曝光工具將支援哪些製程技術，路線圖也未提到各階段完成的時間表。

相關報導在大陸引起不少網民熱烈議論，有網民爲此歡呼：「中芯國際有救了，華爲有救了！還是老大哥給力，突破歐美光刻機封鎖。」「雷射的難度會很大。不過ASML的方案也不是最優解，只能說是走一步算一步的產物。」「各種弊端也太明顯了。現在很多國家都在搞其他的EUV方案。」

對此消息冷嘲熱諷的網民留言就更多了：「看，那母豬正在上樹。」「國內已經有了好吧，25年正式公佈。」「嗯，那就等鵝光刻機開賣吧，慢慢等。」「總算看到比某企更會吹自研的了……」「朝鮮都已經說自己登陸太陽了，他的兩位大哥還在哪研究光刻機呢。」