英特爾宣佈 完成首臺商用高數值孔徑EUV光刻機組裝

圖／英特爾提供

半導體巨人英特爾於18日宣佈，在其俄勒岡州的研發中心，完成業界首臺商用高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）光刻機的組裝。

半導體設備商艾司摩爾（ASML）於去年底在社羣平臺X貼出圖片，顯示開始將第一套高數值孔徑EUV系統的主要部分出貨給英特爾。如今英特爾宣佈已完成組裝，展現領先競爭對手的用意明顯。

在4年發展5個製程節點計劃，預計最先進可達Intel 18A製程之後，英特爾規畫未來將在其Intel 14A製程正式導入利用高數值孔徑EUV。先前根據分析師預估，這套高數值孔徑EUV設備的價格約達2.5億歐元。

英特爾於日前透露，將在2027年前開發出14A製程，以及Intel 14A-E製程。

英特爾強調，高數值孔徑EUV設備TWINSCAN EXE:5000現正進行校準，這套設備結合該公司晶圓廠內的其他技術，有望能制印出比現有EUV設備小1.7倍的特徵。

同時，英特爾提到，後續該公司也已計劃購置下一代TWINSCAN EXE:5200B系統。