消息稱英特爾考慮引入 DSA 技術輔助 High NA EUV 光刻以提升質量

IT之家 4 月 19 日消息，綜合外媒 SemiAnalysis 和 The Elec 報道，英特爾考慮在未來的 High NA EUV 光刻節點導入定向自組裝 DSA 技術進行輔助。

DSA 是兩項被認爲可部分取代傳統光刻的新型圖案化技術之一（IT之家注：另一項是納米壓印 NIL），其利用嵌合共聚物的分子特性實現圖案化，一般被認爲適合輔助傳統光刻而非獨立運用。

▲ 嵌段共聚物分子在誘導下可自動排列成有規律的圖案形態。圖源德國默克

SemiAnalysis 認爲，High NA EUV 光刻面臨的一大問題就是關鍵尺寸（CD，衡量半導體工藝精細程度的關鍵指標之一）定時照射劑量和光刻機晶圓吞吐量的矛盾。

如果晶圓廠需要在保證關鍵尺寸的前提下擁有良好的圖案化效果，那麼就必須加大照射劑量，這將導致光刻過程放慢，光刻機晶圓吞吐量降低，晶圓廠成本負擔加重。

而如果晶圓廠以較高的吞吐量運行光刻機，那就意味着光刻圖案的質量隨照射劑量的減少而下降。此時 DSA 定向自組裝技術就可發揮作用，修復光刻圖案上的特徵錯誤。

引入 DSA 定向自組裝可在提升光刻圖案質量的同時，降低照射劑量，提升光刻機晶圓吞吐量，使 High NA EUV 光刻更具成本可行性。

除 DSA 外，英特爾也考慮在 High NA EUV 光刻中導入圖案塑形技術。

應用材料公司於去年初發布了 Centura Sculpta 圖案塑形系統。該系統可定向精確修改晶圓上的特徵圖案，減少最關鍵圖層的光刻次數，也具有提升光刻圖案質量的作用。

英特爾研究員馬克・菲利普（Mark Phillip）強調：“爲了提高光刻工藝的效率，有必要引入光刻機以外的設備來進行補充。”