美光宣佈量產HBM3E高頻寬記憶體 SK海力士股價應聲重挫

記憶體大廠美光（Ｍicron）26日宣佈已展開量產高頻寬記憶體「HBM3E」。路透

記憶體大廠美光（Ｍicron）26日宣佈已展開量產高頻寬記憶體「HBM3E」，這種記憶體將被用於輝達（Nvidia）將在第2季出貨的H200 Tensor Core GPU，後者可進行AI與高效運算應用。消息激勵美光股價同日大漲4%，南韓記憶體大廠SK海力士今天盤初重挫近3%。

美光表示，已經開始量產24 GB 8-Hi HBM3E，資料傳輸速度爲每秒9.2 GT、高峰記憶體頻寬超過每秒1.2 TB。與HBM3相比，HBM3E的資料傳輸速度和高峰記憶體頻寬提高44%，這對Nvidia H200等需要大量頻寬的處理器來說尤其重要。

美光股價26日收盤大漲4.02%至每股89.46美元，盤中一度大漲超過7%。

花旗分析師Christopher Danely表示，這項發展對美光有利，預期美光在2024年將產生7億美元的高頻寬記憶體營收。

相較於美光的HBM3E已進入量產，原先在HBM領域跑在前頭的韓廠SK海力士如今面臨勁敵。根據MoneyToday上週報導，SK海力士1月中旬結束HBM3E開發，順利完成輝達歷時半年性能評估，3月將開始量產HBM3E。

SK海力士今天盤中重挫逾2%，報每股158,100韓元。