印度JNCASR研究人員成功提高半導體電子遷移率，在半導體行業取得了重大突破

據opengovasia網 10月19日報道，印度科學技術部DST下屬機構尼赫魯科學研究中心（JNCASR）的研究人員對ScN限制半導體中電子遷移率的機制有了新的認識，在半導體行業取得了重大突破。

由副教授Bivas Saha 的帶領下研究人員在對未來最有希望的半導體候選材料氮化鈧(ScN)的研究中，通過理論分析和實驗驗證相結合，發現阻礙電子流動遷移的主要散射機制。研究發現電子與縱向光學聲子模式之間的相互作用（通常稱爲弗洛裡希相互作用）爲 ScN 的電子遷移率設定了固有的上限；另外ScN材料中電離雜質和晶界散射顯著降低了整體電子遷移率。研究人員建議，提高純度不含雜質和缺陷的單晶 ScN 可以顯著提高電子遷移率。

在解決已確定的散射機制就可以設計出具有更高電子遷移率的 ScN 材料，使其適用於包括熱電設備、神經形態計算、高遷移率電子晶體管和肖特基二極管等各種高性能半導體應用。

該研究成果發表在《納米快報》上，標誌着在尋求更高效的電子設備方面取得了重大進展。

（編譯：天容）

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